技术创新
以科技洞悉未来，唯创新赋能发展
三安拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站、省市级重点工作室、院士工作站等国家级一流研发平台和CNAS/NVLAP国际标准检测平台。
公司拥有的外籍专家、博士，高工、硕士，光电子专业本科等研发人才众多。未来，持续加大研发力度，不断科技创新，追求卓越发展。
4700+
研发人员
10+亿元
平均年投入研发费用
10 %
平均年研发投入比例
研发中心
全产品覆盖布局，中、美、日、欧洲等全球多个国家和地区布局，为公司构筑坚实的知识产权壁垒。
980+
国际专利
75%+
发明专利占比
4300+
产品专利总量
技术成果
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照明自主可控的高可靠、高光效白光LED，@25mA条件下，发光效率超过290lm/W 。
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显示开发出边长小于等于5μm的Micro LED产品。
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背光大于等于160度大角度，高可靠Mini 背光产品。
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车用4A高电流密度下, 车规级应用3000小时;1A驱动电流，工作电压下降至3.02V,国际领先水准。
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植物照明660nm红光 WPE 达到65%以上 (@350mA 裸晶） 达到国际水准。
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紫外波段涵盖260nm~415nm,大功率最高可达150mW（@350mA）。
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激光技术攻关超8瓦大功率 InGaN蓝光激光器，达 到国际水准。
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先进砷化镓微波射频代工平台提供先进微波射频制程技术，主要包含HBT，pHEMT，组成业内领先，覆盖频谱全面的微波射频制程技术型谱，提供先进便利的射频技术平台与服务助力产品开发。
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宽禁带半导体垂直整合产业链打造了从长晶、衬底、外延、芯片到封装测试的碳化硅垂直整合产业链，加速功率器件产业化和高能效应用的普及。
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全波长全速率收发光芯片型谱提供全波长全速率的VCSEL芯片及阵列、DFB激光器、雪崩光电二极管(APDs)、光电二极管、监控光电二极管(MPDs)等高速光学产品的晶圆制造。
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自研衬底的垂直整合滤波器制造平台滤波器已通过全球射频前端主流平台验证，拥有国内多家领先的模块和手机合作伙伴，具备高质量4寸钽酸锂衬底生产能力，器件级小型化、CPS、晶圆级WLP封装能力。